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http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/2632| Titre: | Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium |
| Auteur(s): | Belfihadj, Nadine Hellal, Fateh, Directeur de thèse Kezzoula, Faouzi, Directeur de thèse |
| Mots-clés: | Hétérojonction Photovoltaïque Silicium amorphe hydrogéné a-Si:H AFORS-HET |
| Date de publication: | 2020 |
| Résumé: | Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface. |
| Description: | Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 |
| URI/URL: | http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/2632 |
| Collection(s) : | Département Métallurgie |
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