Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	Benali, Mohamed	-
dc.contributor.other	Zerguerras, Ahmed, Directeur de thèse	-
dc.date.accessioned	2021-01-18T09:51:26Z	-
dc.date.available	2021-01-18T09:51:26Z	-
dc.date.issued	1975	-
dc.identifier.other	PA00475(2)	-
dc.identifier.uri	http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/6269	-
dc.description	Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975. - Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique	fr_FR
dc.description.abstract	La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Transistor MOS	fr_FR
dc.subject	Micro électronique	fr_FR
dc.subject	Technologies MOS	fr_FR
dc.title	Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR
Collection(s) :	Département Génie Electrique

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