Le transistor MOS, Fascicule 2. Amplification

Brahami, Mohammed Mostafa

dc.contributor.author	Brahami, Mohammed Mostafa
dc.contributor.other	Zerguerras, Ahmed, Directeur de thèse
dc.date.accessioned	2021-02-28T14:44:39Z
dc.date.available	2021-02-28T14:44:39Z
dc.date.issued	1975
dc.identifier.other	PA00475(1)
dc.identifier.uri	http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/8533
dc.description	Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975. - Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique	fr_FR
dc.description.abstract	La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Transistor MOS	fr_FR
dc.subject	Signal faible	fr_FR
dc.subject	Bruit
dc.subject	Amplification de puissance
dc.subject	Amplification audio fréquence
dc.subject	Tetrode MOS pour bande UHF
dc.title	Le transistor MOS, Fascicule 2. Amplification	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR