Analyse et synthèse des réseaux d'adaptation à large bande pour amplificateurs micro-onde à transistor FET

dc.contributor.author	Chebbah, Madjid
dc.contributor.author	Guerchaoui, Abdelkrim
dc.contributor.other	Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse
dc.date.accessioned	2021-01-11T13:09:50Z
dc.date.available	2021-01-11T13:09:50Z
dc.date.issued	1985
dc.description	Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1985	fr_FR
dc.description.abstract	Le but de ce projet est d'étudier les techniques variées d'adaptation à large bande pour transistor,aux fréquences micro-ondes, le coefficient de transmission S12 des transistors, spécialement les GaAs FET est très faible, alors le modèle unilatéral(S 12=0) peut être utilisé avec un minimum de corrections et celles-ci sont introduites dans la procédure d'optimisation finale.	fr_FR
dc.identifier.other	PN02085
dc.identifier.uri	https://repository.enp.edu.dz/handle/123456789/5810
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Réseaux d'adaptation -- Réalisation	fr_FR
dc.subject	Réseaux d'adaptation -- Synthèse	fr_FR
dc.subject	FET -- Transistor
dc.title	Analyse et synthèse des réseaux d'adaptation à large bande pour amplificateurs micro-onde à transistor FET	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR

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