Conception et simulation des amplificateurs micro ondes à large bande

Abstract

Actuellement, Les quantités d’information à traiter ou à transmettre ne cessent d’augmenter, ceci qui nécessite la conception de dispositifs à large bande tels que les amplificateurs. Dans ce cadre, nous nous sommes attelés à étudier et à mettre en oeuvre deux techniques de conception simples, l’une graphique recourant à l’abaque de Smith et concerne le transistor bipolaire et l’autre basée sur la synthèse d’impédances associés au transistor a effet de champ. Suite à cela, nous avons conçu deux types d’amplificateurs. Le premier présente un gain 8.57dB et une bande passante de 1 à 3 GHz. Le second pressente un gain de 10 dB, dans la bande passante 6 à 12 GHZ. Les circuits de polarisation, ont fait également l’objet d’une étude dans le domaine fréquentiel car ils conditionnent fortement les caractéristiques de l’amplificateur.