Le transistor MOS, Fascicule 2. Amplification
| dc.contributor.author | Brahami, Mohammed Mostafa | |
| dc.contributor.other | Zerguerras, Ahmed, Directeur de thèse | |
| dc.date.accessioned | 2021-02-28T14:44:39Z | |
| dc.date.available | 2021-02-28T14:44:39Z | |
| dc.date.issued | 1975 | |
| dc.description | Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975. - Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique | fr_FR |
| dc.description.abstract | La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs. | fr_FR |
| dc.identifier.other | PA00475(1) | |
| dc.identifier.uri | https://repository.enp.edu.dz/handle/123456789/8533 | |
| dc.language.iso | fr | fr_FR |
| dc.subject | Transistor MOS | fr_FR |
| dc.subject | Signal faible | fr_FR |
| dc.subject | Bruit | |
| dc.subject | Amplification de puissance | |
| dc.subject | Amplification audio fréquence | |
| dc.subject | Tetrode MOS pour bande UHF | |
| dc.title | Le transistor MOS, Fascicule 2. Amplification | fr_FR |
| dc.type | Thesis | fr_FR |
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