Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium
| dc.contributor.author | Belfihadj, Nadine | |
| dc.contributor.other | Hellal, Fateh, Directeur de thèse | |
| dc.contributor.other | Kezzoula, Faouzi, Directeur de thèse | |
| dc.date.accessioned | 2020-12-24T10:11:32Z | |
| dc.date.available | 2020-12-24T10:11:32Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.description | Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 | fr_FR |
| dc.description.abstract | Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface. | fr_FR |
| dc.identifier.other | EP00183 | |
| dc.identifier.uri | https://repository.enp.edu.dz/handle/123456789/2632 | |
| dc.language.iso | fr | fr_FR |
| dc.subject | Hétérojonction | fr_FR |
| dc.subject | Photovoltaïque | fr_FR |
| dc.subject | Silicium amorphe hydrogéné | fr_FR |
| dc.subject | a-Si:H | fr_FR |
| dc.subject | AFORS-HET | fr_FR |
| dc.title | Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium | fr_FR |
| dc.type | Thesis | fr_FR |