Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS
| dc.contributor.author | Benali, Mohamed | |
| dc.contributor.other | Zerguerras, Ahmed, Directeur de thèse | |
| dc.date.accessioned | 2021-01-18T09:51:26Z | |
| dc.date.available | 2021-01-18T09:51:26Z | |
| dc.date.issued | 1975 | |
| dc.description | Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975. - Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique | fr_FR |
| dc.description.abstract | La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs. | fr_FR |
| dc.identifier.other | PA00475(2) | |
| dc.identifier.uri | https://repository.enp.edu.dz/handle/123456789/6269 | |
| dc.language.iso | fr | fr_FR |
| dc.subject | Transistor MOS | fr_FR |
| dc.subject | Micro électronique | fr_FR |
| dc.subject | Technologies MOS | fr_FR |
| dc.title | Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS | fr_FR |
| dc.type | Thesis | fr_FR |
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