http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/124 2026-04-07T06:25:36Z 2026-04-07T06:25:36Z Laib, Amar http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/6981 2021-01-24T13:54:12Z 1992-01-01T00:00:00Z

Title: Optimisation minimax des filtres numériques RIF avec contraintes supplémentaires Authors: Laib, Amar Abstract: Le travail que nous présentons ici est une contribution au développement des filtres numériques RIF à phase linéaire. Il a pour objectif d'élaborer un programme pour optimiser les caractéristiques de cette classe de filtres en utilisant une méthode rapide basée sur l'algorithme du simplexe conventionnel. Cette méthode peut être considérées comme une combinaison de la procédure du simplexe et de la procédure de Remez: les deux principaux avantages de ces deux procédures y sont exploités. Notre travail est organisé comme suite. Le premier chapitre traitera des généralités sur les filtres numériques. Nous y avons introduit une étude comparative entre les filtres RII et les filtres RIF pour faire apparaître l'importance de ces derniers. Le second chapitre est une description détaillée des deux principales méthodes utilisées pour l'optimisation des filtres RIF selon la norme de Chebyshev, à savoir: La méthode utilisant l'algorithme de Remez et la méthode utilisant l'algorithme du simplexe. Dans le troisième chapitre, nous développerons une technique rapide pour l'optimisation des filtres RIF à phase linéaire. Elle se présente comme une amélioration de l'ancienne méthode utilisant l'algorithme du simplexe. Le quatrième chapitre, qui se présente comme la suite du chapitre précédent, traitera de l'optimisation avec contraintes supplémentaires et nous l'avons organisés à part pour faire apparaître l'importance de cet avantage propre à la méthode utilisant l'algorithme du simplexe. Enfin, le dernier chapitre sera consacré à l'optimisation des filtres RIF à coefficients de longueur finie (ou quantifiés) par une méthode de recherche locale. Description: Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1992

1992-01-01T00:00:00Z Hamza, Abdelkrim http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/6978 2021-01-24T13:51:02Z 1992-01-01T00:00:00Z

Title: Annulation adaptative d'écho pour la transmission de données en bande de base Authors: Hamza, Abdelkrim Abstract: Dans ce travail, nous exposerons au chapitre I des notions fondamentales concernant la transmission de données. Au chapitre II les causes et les conséquences du phénomène d'écho sont détaillées. Le contexte ou l'environnement dans lequel est situé l'annuleur d'écho est donné au chapitre III. La présentation des équations des différents signaux et des critères d'annulation y est abordée aussi. Le chapitre IV est consacré aux algorithmes adaptatifs. En effet, l'adaptation des paramètres de l'annuleur se fait à l'aide d'algorithmes adaptatifs. Celui du gradient est présenté en détail vu qu'il réponde d'une façon satisfaisante aux conditions requises. De plus, sa simplicité et sa robustesse en font un outil idéal pour ce type de problèmes. Par ailleurs, une variante de l'algorithme du gradient à savoir l'algorithme du signe est présentée dans ce chapitre. Le chapitre V est consacré aux simulations et résultats de l'annuleur d'écho fonctionnant avec les algorithmes du gradient et du signe dans des conditions variables. Une étude comparative avec les résultats théoriques est donnée pour juger des performances de la simulation. Au chapitre VI, une nouvelle approche est présentée afin d'optimiser les performances de l'annuleur d'écho. Elle consiste à faire varier le nombre de coefficients du filtre pour réduire la complexité globale de l'annuleur. En conclusion, les résultats de la simulation ont montrés une nette concordance avec ceux de la théorie. De plus l'approche consistant à réduire le nombre de coefficients du filtre s'est avérée intéressante puisqu'elle permet une réduction de la complexité sans détériorer les performances de l'annuleur. Certaines suggestions et des aspects pratiques sont abordés et analysés dans la conclusion. Description: Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1992

1992-01-01T00:00:00Z Gueraichi, Mohamed http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/6977 2021-01-24T13:47:45Z 1992-01-01T00:00:00Z

Title: Etude et simulation des amplificateurs de lecture des mémoires MOS - DRAM Authors: Gueraichi, Mohamed Abstract: Notre objectif est de trouver une fonction de commande de l'amplificateur de lecture qui puisse assurer pour une variation de V entre 50 mv et 200 mv les conditions suivantes: 1/ Le temps de saturation doit être court afin d'avoir une lecture rapide et le plus stable possible pour avoir une lecture uniforme pour toutes les cellules-mémoires. 2/ Il faut veuiller à ne pas avoir une chute de potentiel du nœud à plus haut niveau supérieur à 20% du signal de précharge Vp de départ sinon l'amplification de ce nœud après le basculement demanderait beaucoup de temps et pénaliserait de ce fait la vitesse de fonctionnement de l'amplificateur. En outre celle-ci doit être la plus stable possible. 3/ On doit enfin pour le schéma final du S/A consommer le moins de surface possible car en général les amplificateurs occupent prés de 30% de la surface totale de la puce et l'intérêt des DRAM est bien justement le taux d'intégration élevé. La thèse s'articule autour de dix chapitres: le premier consiste en un rappel sur le transistor MOS suivi d'une description des mémoires dynamiques qui constitue le chapitre 2. Le troisième passe à l'étude de la commande du S/A de base à une tension Vs(t) qui passe brusquement du niveau VDD à 0 Volt et ce pour tester la réponse de notre système. Néanmoins la commande précédente conduit à une dégradation très importante du potentiel Vb; afin de garder le potentiel de l'un des nœuds constant on passera alors au quatrième chapitre qui consiste à trouver la tension Vs(t) qui puisse garder un des deux transistors du S/A bloqué; malheureusement cette commande entraîne un temps de saturation instable à l'extrême; toutefois en laissant conducteur un des deux transistors, nous constaterons que les résultats sont nettement améliorés et satisfaisants et on déterminera Vs(t) correspondante; ce qui fera l'objet du chapitre 5. Cependant du fait que l'expression de Vs(t) trouvée dans ce chapitre est fort complexe et qu'il est difficile de concevoir des générateurs capables de reproduire rigoureusement la forme de Vs(t), on a pensé à commander l'amplificateur de lecture par un niveau de courant constant au niveau de la source commune des transistors constituant l'amplificateur puisque celle-ci ne fait appel pour cela qu'à un simple transistor saturé, ce qui constitue le sixième chapitre. Dans le souci d'améliorer les performances, le septième chapitre s'occupera de la commande du S/A par deux niveaux de courants constants, le deuxième niveau de courant entrant en action après un temps ts et ce après que la différence (V1(t)-V2(t)) atteint un certain seuil choisi de sorte que tsat soit le plus faible possible. Le huitième chapitre concernera la simulation par le simulateur SPICE universel des commandes par un et deux niveaux de courants constants afin de discuter de la véracité des résultats analytiques suivi en cela par la recherche à l'aide de la simulation du ou des éléments pouvant servir comme sources de courants constants, leur dimensions et les tensions auxquels ils doivent être soumis. Le neuvième chapitre sera consacré à l'étude du schéma complet du S/A qui sera divisée en quatre parties à savoir la précharge des lignes de bit, suivi en cela par le basculement du S/A et enfin l'amplification du niveau "1". Finalement on aboutira au schéma global de l'amplificateur de lecture qui occupe le moins de surface possible. Le dixième chapitre traitera de la sensibilité du S/A qui est un critère critique pour les DRAM. Description: Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1992

1992-01-01T00:00:00Z Dekar Née Belaid, Leila http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/6973 2021-01-24T13:34:22Z 1992-01-01T00:00:00Z

Title: Contribution sur une approche numérique de réseaux n-pôles Authors: Dekar Née Belaid, Leila Abstract: Le but de notre étude porte sur la mise au point d'un programme d'analyse de circuits microondes ayant une forme arbitraire. L'intérêt d'un tel travail est lié à la nécéssité d'utiliser en télécommunications des composants électroniques qui doivent monter de plus en plus en fréquence et pour lesquels la structure devient de plus en plus complexe. Dans le cas des composants microondes, la tendance actuelle est à la miniaturisation par l'emploi des techniques de câblage imprimé et par la conception de nouveaux circuits intégrés. Dans cet esprit, nous nous sommes fixés comme objectif d'étudier une méthode d'analyse qui soit la plus générale, c'est à dire capable de décrire n'importe quel réseau microonde. Pour cela nous nous sommes intéressés aux applications de la matrice de dispersion, qui est la plus pratique pour l'analyse de réseaux. Ainsi, dans le chapitre 1 nous avons présenté les principales méthodes d'analyse de circuits microondes utilisant le concept de la matrice de dispersion et les méthodes d'analyses de sensibilités. Le chapitre 2, a été consacré à la description d'une méthode de résolution d'un système d'équations linéaires utilisant les techniques de matrices creuses. Le chapitre 3, est une description détaillée du logiciel que nous avons mis au point pour l'analyse d'un réseau microonde par la méthode de la 'matrice [W]' ainsi que l'évaluation des sensibilités par la méthode du 'Circuit Adjoint'. Dans le chapitre 4, nous avons présenté les résultats de l'analyse de quelques réseaux microondes et les avons comparés à ceux obtenus par certains auteurs à l'aide d'autres méthodes d'analyses. Et enfin en conclusion, une justification du choix de la méthode d'analyse et une comparaison en ce qui concerne le temps de calcul, la mémoire opérationnelle de la méthode de résolution utilisée avec les méthodes classiques sont faites. Description: Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1992

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