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dc.contributor.authorOuchar, Ali-
dc.contributor.otherAksas, Rabia, Directeur de thèse-
dc.date.accessioned2020-12-23T14:06:54Z-
dc.date.available2020-12-23T14:06:54Z-
dc.date.issued1991-
dc.identifier.otherM002091-
dc.identifier.urihttp://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/2449-
dc.descriptionMémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1991fr_FR
dc.description.abstractL'objet de notre travail consiste à compléter cette chaîne de reception par l'adjonction d'un amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire (1.1 GHz) en tenant compte à la fois des normes internationales de la T.V.D.S et des réalisations précédentes comme cahier de charges (impédance et puissance à la sortie du mélangeur). Cet amplificateur doit avoir un gain maximum (transfert maximum de puissance à la charge) et constant sur une large bande de fréquence (bande relative de 40 %) et il doit être adaptable aux dispositifs en amont et en aval (démodulateur FM). Le choix de l'élément actif utilisé en amplification micro-onde est régi par le rapport coût-performances. L'evolution rapide de la technologie hybride, plus particulièrement celle du transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs) est d'un apport considérable en micro-onde. Néanmoins, malgré leur limitation en fréquences (fréquence de transition inférieur à 5 GHz), les transistors bipolaires peuvent assumer le même rôle pour une amplification des signaux de fréquences allant jusqu'à 2 GHz. La destination commerciale du produit, associé aux données de réalisation, nous a permis d'adopter le transistor bipolaire à technologie planaire à savoir le BFR 91 aisément adapté à la technologie microruban et aux structures (réseaux) passives associées. Nous avons d'abord traiter la théorie des multipôles nécessaire à l'analyse ainsi qu'à la synthèse des réseaux actifs et passifs. La théorie d'adaptation à large bande a été bien développée afin de ressortir les différents critères de stabilités et de faisabilité. Un programme (A.N.A.M), associé à cette méthode a été élacoré pour déterminer entre autres les éléments constituants les réseaux passifs associés au transistor. Dans le but d'obtenir des structures passives optimums, nous avons utilisé une méthode itérative récente, qui associée à un programme d'optimisation (N.U.M.M), permet d'obtenir un produit fini ne nécessitant aucune correction, réalisable par la C.A.O. Enfin l'amplificateur a été réalisé sur un substrat de faible pertes (DUROID 5880) à l'aide de la technique de la photogravure et des mesures expérimentales ont été effectuées avec un analyseur de réseau automatique HP 8409C à système de visualisation polaire et à polarisation autonome. L'interprétation des résultats théoriques et expérimentaux, nous a permis de juger d'un œil critique les performances de ces méthodes et ce afin de ressortir l'opportunité de leur application.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.subjectAmplificateur micro-ondefr_FR
dc.subjectFréquence intermédiaire T.V.D.S.fr_FR
dc.titleAmplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire pour la T.V.D.S.fr_FR
dc.typeThesisfr_FR
Collection(s) :Département Electronique

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