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http://repository.enp.edu.dz/jspui/handle/123456789/3920
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Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
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dc.contributor.author | Hani, Dyhia | - |
dc.contributor.other | Salhi, Essaïd, Directeur de thèse | - |
dc.date.accessioned | 2020-12-30T13:52:59Z | - |
dc.date.available | 2020-12-30T13:52:59Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.other | PL01313 | - |
dc.identifier.uri | http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/3920 | - |
dc.description | Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2013 | fr_FR |
dc.description.abstract | L’objectif de ce travail est d’étudier les trois types du silicium photovoltaïque issu de trois lingots coulés à l’aide du silicium métallurgique Ferropem sans et avec brassage électromagnétique 150 A et 250 A. Afin d’identifier leurs caractérisations structurales tel que la microstructure, les dislocations, les macles, et les différents plans diffractés par la diffraction des rayons X, on s’est intéressé également à l’aspect électrique à travers des mesures de résistivité et le type de dopage par effet SEEBECK. L’ensemble de ces investigations nous a permis de faire une comparaison entre les lingots à différents brassages électromagnétiques. | fr_FR |
dc.language.iso | fr | fr_FR |
dc.subject | Silicium polycristallin | fr_FR |
dc.subject | Photovoltaïque | fr_FR |
dc.subject | Brassage électromagnétique | fr_FR |
dc.subject | Défauts cristallins | fr_FR |
dc.subject | Résistivité électrique | fr_FR |
dc.subject | Dopage par effet SEBBCEK | fr_FR |
dc.title | Caractérisation et étude du silicium photovoltaïque issu de trois lingots coulés à l'aide du silicium métallurgique ferropem sans et avec brassage électromagnétique respectivement à 150A et 250A | fr_FR |
dc.type | Thesis | fr_FR |
Collection(s) : | Département Métallurgie |
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Fichier | Description | Taille | Format | |
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HANI.Dyhia.pdf | PL01313 | 21.41 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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