Influence des recuits sur l'état structural du silicium polycristallin photovoltaïque

Abstract

L’objet de ce travail est l’amélioration de l’état structural du silicium polycristallin photovoltaïque par différentes durées de recuits réalisés sous Argon à 1100°C, suivie de caractérisation par Diffraction des Rayons X, métallographie et mesure des résistivités électriques. Nous parlons dans le premier chapitre de quelques propriétés du silicium, défauts cristallins, impuretés et leurs effets sur les propriétés électriques. Nous traitons aussi les différents procédés d’élaboration et de purification du silicium mono et poly-cristallin, ainsi que la fabrication des plaques photovoltaïques. Dans le deuxième chapitre, nous traitons les différentes techniques de la réalisation des recuits, caractérisation métallographique, électrique et de la diffractions des rayons X. Quand au troisième chapitre, nous présentons et discutons les résultats obtenus.