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| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Chebbah, Madjid | - |
| dc.contributor.author | Guerchaoui, Abdelkrim | - |
| dc.contributor.other | Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse | - |
| dc.date.accessioned | 2021-01-11T13:09:50Z | - |
| dc.date.available | 2021-01-11T13:09:50Z | - |
| dc.date.issued | 1985 | - |
| dc.identifier.other | PN02085 | - |
| dc.identifier.uri | http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/5810 | - |
| dc.description | Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1985 | fr_FR |
| dc.description.abstract | Le but de ce projet est d'étudier les techniques variées d'adaptation à large bande pour transistor,aux fréquences micro-ondes, le coefficient de transmission S12 des transistors, spécialement les GaAs FET est très faible, alors le modèle unilatéral(S 12=0) peut être utilisé avec un minimum de corrections et celles-ci sont introduites dans la procédure d'optimisation finale. | fr_FR |
| dc.language.iso | fr | fr_FR |
| dc.subject | Réseaux d'adaptation -- Réalisation | fr_FR |
| dc.subject | Réseaux d'adaptation -- Synthèse | fr_FR |
| dc.subject | FET -- Transistor | - |
| dc.title | Analyse et synthèse des réseaux d'adaptation à large bande pour amplificateurs micro-onde à transistor FET | fr_FR |
| dc.type | Thesis | fr_FR |
| Collection(s) : | Département Electronique | |
Fichier(s) constituant ce document :
| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
| CHEBBAH.Madjid_GURCHAOUI.Abdelkrim.pdf | PN02085 | 9.3 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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