Contribution à la conception des amplificateurs large bande en technologie CMOS

Abstract

Cette thèse porte sur la conception des amplificateurs larges bandes intégrés en technologie CMOS pour répondre aux contraintes de coût, d’encombrement et de performances. Dans ce contexte, nous avons proposé en premier lieu une nouvelle méthode pour améliorer la bande passante de l’amplificateur distribué, et ce, en substituant les cellules à K-constant par les filtres de Chebyshev et Butterworth. Ainsi, une amélioration de la bande passante de +28 % a été enregistrée par rapport à la méthode conventionnelle. Ensuite, pour bénéficier des avantages de l’amplificateur distribué à un seul étage non-adapté en termes de bande passante et de réduction de taille, nous avons proposé son intégration en technologie CMOS 0.18𝜇m pour remédier à sa particularité de dimensionnement développé en discret. Enfin, vu l’intérêt que connaît la technologie Ultra-Wide-Band (UWB) depuis sa normalisation en 2002, nous avons opté pour la conception d’un amplificateur UWB à faible bruit et à basse tension d’alimentation pour les applications sans-fils. Pour cet objectif, notre conception s’est basée sur une configuration multi-étages qui nous a permis d’abaisser la tension d’alimentation tout en offrant de bonnes performances comparables avec l’état de l’art.