Formation de l'alliage Ag-Al au cours de la métallisation des émetteurs p+ des cellules solaires de type n

Abstract

Les cellules solaires en silicium monocristallin de type n devraient représenter une part croissante du marché mondial du photovoltaïque dans un avenir proche, grâce à leur rendement stable à long terme, supérieur à celui des cellules de type p. Toutefois, lors de la métallisation des jonctions p+, l’utilisation de l’argent seul entraîne une résistance de contact relativement élevée ; l’ajout d’une faible quantité d’aluminium à la pâte d’argent s’est donc révélé efficace pour améliorer la qualité du contact. L’objectif de ce travail est d’étudier la formation d’alliages argent-aluminium Ag-Al déposés sur des plaquettes de silicium, en combinant différentes techniques, notamment la sérigraphie utilisant des pâtes d’argent et d’aluminium, des pâtes d’argent mélangées à la poudre d’aluminium, ainsi que l’évaporation thermique sous vide (pour le dépôt d’aluminium), suivie d’une sérigraphie à la pâte d’argent. Les couches obtenues seront ensuite soumises à un recuit dans un four à traitement thermique rapide (RTP). Afin de comprendre le mécanisme de formation de l’alliage argent-aluminium et d’analyser la morphologie des dépôts, diverses méthodes de caractérisation seront mises en œuvre notamment le microscope électronique à balayage (MEB), la diffraction des rayon X (DRX).