Abstract:
Dans le cadre actuel de changement énergétique, l’amélioration de l’efficacité des cellules photovoltaïque est d’une importance capitale pour accroitre la compétitivité et l’accessibilité de l’énergie solaire. Les cellules n-PERT (PassivedemitterReartotallydiffused) sont reconnues comme une technologie innovante, offrant une structure avancée et des performances élevées.
La qualité des contacts localisée est l’une des facteurs importants qui peut affecter le rendement des cellules n-PERT BJ. Dans ce travail nous avons examiné l’effet de la taille des particules de Si ajoutée à la pâte d’Al pour la réalisation des contacts localisée dans les cellules n-PERT BJ. Pour cela nous avons préparé des pates AlSi avec différents granulométries de poudre Si. Les pates AlSi préparées ont été ensuite déposé par sérigraphie sur des substrats de silicium de type n. Les contacts localisés AlSi réalisés ont été ensuite caractérisés par déférents technique : Microscope optique, MEB, EPMA, DRX, DSC et XPS. Les résultats obtenus montre que les propriétés des contacts localisée peuvent être améliorées en réduisent la taille des particules des Si ajoute dans la pâte d’Al.
