Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium

Belfihadj, Nadine

dc.contributor.author	Belfihadj, Nadine
dc.contributor.other	Hellal, Fateh, Directeur de thèse
dc.contributor.other	Kezzoula, Faouzi, Directeur de thèse
dc.date.accessioned	2020-12-24T10:11:32Z
dc.date.available	2020-12-24T10:11:32Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.other	EP00183
dc.identifier.uri	http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/2632
dc.description	Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020	fr_FR
dc.description.abstract	Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Hétérojonction	fr_FR
dc.subject	Photovoltaïque	fr_FR
dc.subject	Silicium amorphe hydrogéné	fr_FR
dc.subject	a-Si:H	fr_FR
dc.subject	AFORS-HET	fr_FR
dc.title	Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR