Abstract:
Lors de la fabrication de cellules solaires à base de silicium monocristallin de type n, la première étape consiste à réaliser l’émetteur p+ par diffusion du bore en face avant de la plaquette. La deuxième étape, quant à elle, a pour but de créer la BSF n+ par diffusion du phosphore en face arrière. Dans ce travail, deux jonctions n/p+ seront réalisées avec deux températures de diffusion distincte. Ces structures subiront par la suite des recruits, sous diazote, à différentes températures de maintien afin de simuler des processus de formation de la BSF n+. L’influence des recuits sur les propriétés électriques de la cellule solaire sera évaluée par les méthodes des quatre pointes et l’ECV, ainsi que deux simulateur numérique : l’EDNA et le PC1D.
