Conception d'un amplificateur distribué en technologie monolitique

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dc.contributor.author Si Moussa, Mehdi
dc.contributor.other Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse
dc.date.accessioned 2020-12-27T10:57:00Z
dc.date.available 2020-12-27T10:57:00Z
dc.date.issued 2001
dc.identifier.other M001401
dc.identifier.uri http://repository.enp.edu.dz/xmlui/handle/123456789/2948
dc.description Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 fr_FR
dc.description.abstract Le but de notre travail est la mise en oeuvre d'une méthode de conception de l'amplificateur distribué en technologie monolithique à base d'Arséniure de Gallium (GaAs). L'amplificateur distribué qui est un dispositif micro-onde, sous forme d'un octopole actif, permet d'avoir un gain plat sur une bande passante allant jusqu'à plusieurs dizaines de gigahertz. Ce dispositif est donc actuellement utilisé en raison des besoins importants en terme de transmission d'information. Nous nous sommes aussi intéressés à l'amélioration des performances de l'amplificateur distribué en proposant des modèles de compensation qui permettent d'augmenter le produit gain-bande passante. La comparaison avec le modèle conventionnel montre une amélioration des résultats fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.subject Amplificateur distribué fr_FR
dc.subject Technologie monolithique Produit gain-bande passante fr_FR
dc.subject Méthode de compensation fr_FR
dc.title Conception d'un amplificateur distribué en technologie monolitique fr_FR
dc.type Thesis fr_FR


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