Abstract:
Le présent travail a été réalisé en trois étapes.
Nous avons commencé a étudier les propriétés thermoélectriques des solutions solides Bi2(Te1-xSex)3 avec x=0,05;0,1 et0,15.
Les monocristaux de ces solutions solides ont été élaborés par la méthode de T.H.M (Travelling Heater Method).
Les monocristaux ont été soumis à des mesures de caractérisation thermoélectrique (coefficient de seebeck), électrique (résistivité, effet Hall) et thermique (conductivité thermique) en fonction de la température et de la concentration de porteurs contrôlée par les recuits de saturation.
Ensuite, nous avons étudié l'influence du dopage sur les propriétés thermoélectriques de ces solutions solides, à travers le dopage de la solution solide x=0,10 au brome.
Enfin, une étude de l'hétéro diffusion du sélénium dans le tellure de bismuth a été entreprise pour caractériser les défauts natifs responsables des écarts à la stoechiométrie dans ces solutions solides.
