Abstract:
Dans ce travail, nous avons entrepris le dépôt et l’étude des propriétés structurales et optiques des couches minces antireflets SiO2-SiC, destinées à l’emploi photovoltaïque. La croissance de SiO2-SiC a été réalisée à l’aide de la technique de dépôt par voie physique : pulvérisation cathodique RF magnétron. Plusieurs dépôts de la couche SiO2-SiC d’épaisseur variant entre 73.9 et 124 nm ont été réalisées sur divers substrats et états de surface tels que le verre et le silicium monocristallin (100) : plat et texturisé. Le dépôt du SiO2-SiC a été suivi par plusieurs techniques de caractérisation ; microscopie électronique à balayage MEB, analyse EDS, spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier FTIR, diffraction des rayons X et mesure de réflectance et de transmittance par spectroscopie. Le temps de dépôt et le recuit ont été mis en jeu afin d’étudier leur influence sur le comportement à la réflexion des couches de SiO2-SiC élaborées. Une amélioration significative des propriétés optiques a été enregistrée où nous avons pu atteindre un taux de réflectance équivalent à 6.29 %.
