Abstract:
Le but de notre travail est la mise en oeuvre d'une méthode de conception de l'amplificateur distribué en technologie monolithique à base d'Arséniure de Gallium (GaAs).
L'amplificateur distribué qui est un dispositif micro-onde, sous forme d'un octopole actif, permet d'avoir un gain plat sur une bande passante allant jusqu'à plusieurs dizaines de gigahertz. Ce dispositif est donc actuellement utilisé en raison des besoins importants en terme de transmission d'information.
Nous nous sommes aussi intéressés à l'amélioration des performances de l'amplificateur distribué en proposant des modèles de compensation qui permettent d'augmenter le produit gain-bande passante. La comparaison avec le modèle conventionnel montre une amélioration des résultats
