Abstract:
Le but de ce projet est d'étudier les techniques variées d'adaptation à large bande pour transistor,aux fréquences micro-ondes, le coefficient de transmission S12 des transistors, spécialement les GaAs FET est très faible, alors le modèle unilatéral(S 12=0) peut être utilisé avec un minimum de corrections et celles-ci sont introduites dans la procédure d'optimisation finale.
