Etude et réalisation d'un appareil permettant l'étude du comportement des semi-conducteurs en température

Abstract

Ce projet se limite à la considération des semi-conducteurs d'un type diode, transistor, F.E.T., les amplis opérationnels et les circuits intégrés étant exceptés, et ceci dans une plage de température allant de l'ambiante jusqu'à 150°C.