Etude de la métallisation d’un émetteur p+ par un alliage Ag/Al
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Abstract
La mise en contact de l’émetteur p+ avec des pâtes de sérigraphie Ag peut conduire à des résistances de contact spécifiques élevées, ce qui est plutôt médiocre par rapport aux contacts à base d’Ag avec des jonctions n+ dopées au phosphore présentant de faibles résistances de contact spécifiques. L’ajout d’Al à la pâte conduit à une résistance de contact spécifique plus faible. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet de l’ajout d’aluminium dans la pâte, pour cela deux méthodes de métallisation seront utilisées ainsi que diverses techniques de caractérisation.
Description
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2023. - Mémoire en collaboration avec Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE)