Etude de la métallisation d’un émetteur p+ par un alliage Ag/Al

dc.contributor.authorAdmane, Aimad Eddine
dc.contributor.authorBouabdallah, Mahfoud
dc.contributor.otherBoucheham, Abdelghani, Directeur de thèse
dc.date.accessioned2023-10-04T10:27:44Z
dc.date.available2023-10-04T10:27:44Z
dc.date.issued2023
dc.descriptionMémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2023. - Mémoire en collaboration avec Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE)fr_FR
dc.description.abstractLa mise en contact de l’émetteur p+ avec des pâtes de sérigraphie Ag peut conduire à des résistances de contact spécifiques élevées, ce qui est plutôt médiocre par rapport aux contacts à base d’Ag avec des jonctions n+ dopées au phosphore présentant de faibles résistances de contact spécifiques. L’ajout d’Al à la pâte conduit à une résistance de contact spécifique plus faible. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet de l’ajout d’aluminium dans la pâte, pour cela deux méthodes de métallisation seront utilisées ainsi que diverses techniques de caractérisation.fr_FR
dc.identifier.otherEP00675
dc.identifier.urihttps://repository.enp.edu.dz/handle/123456789/10739
dc.language.isofrfr_FR
dc.subjectMétallisationfr_FR
dc.subjectSilliciumfr_FR
dc.titleEtude de la métallisation d’un émetteur p+ par un alliage Ag/Alfr_FR
dc.typeThesisfr_FR

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