Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS

Abstract

Le but de ce travail est la conception de deux amplificateurs à faible bruit en technologie CMOS 0.18μm pour des applications sans fil. Le premier est un amplificateur multistandards dont la fréquence de travail s’étale de 1.9 GHz jusqu’à 2.4 GHz. Le deuxième est un amplificateur large bande opérant dans le spectre 3.1-10.6 GHz, qui répond à trois critères fondamentaux fixés par la FFC (Federal Communications Commission) où sa sélectivité a été améliorée en ajoutant à son entrée un filtre ULB (Ultra Large Bande) conçu, en technologie micro-ruban, avec une méthode novatrice que nous avons développée et mise en œuvre. Les deux amplificateurs ont été conçus selon la topologie à dégénérescence inductive et selon la technique d’optimisation puissance-bruit. Le premier possède un facteur de bruit NF<2.7 dB, un gain atteint 23.5 dB, des coefficients de réflexion d’entrée et de sortie S11<-12dB et S22<-13 dB et un produit d’intermodulation d’ordre trois IIP3>-3 dBm. Le deuxième est caractérisé par NFmin=2.55 dB, S21max=16 dB, S11<-7.5 dB et S22<-15 dB, et un facteur de sélectivité SF=0.88. Enfin, comme perspective, un régulateur de tension LDO (Low Drop-Out) intégré a été conçu dans l’objectif de fournir une source de tension stable aux cellules RF.