Abstract:
Les amplificateurs distribués et à ondes progressives à transistors MESFET GaAs sont utilisés dans le domaine des micro-ondes.
Leurs différentes méthodes d'analyse imposent certaines hypothèses simplificatrices, ce qui réduit, dans une certaine mesure, leur précision.
Par contre, la nouvelle méthode, que nous avons développée, est basée sur les ondes de répartition et n'émet aucune hypothèse.
Elle s'applique aussi à des circuits quelconques.
Sa précision et son caractère général, par rapport aux autres méthodes, ont été mis en évidence sur des cas réels.
De plus, nous avons pu améliorer de 3 dB le gain en puissance de l'amplificateur distribué en tirant profit des ondes réfléchies dues aux terminaisons intermédiaires.
Un autre modèle d'amplificateur, associant un transistor MESFET à une ligne active, est proposé.
Comparativement à l'amplificateur distribué et avec le même nombre de transistors, ce nouveau modèle présente un gain en puissance plus élevé.
Nous avons également conçu et réalisé un amplificateur distribué et un amplificateur à ondes progressives à deux transistors chacun, avec un gain de 3 dB et une bande passante de 18 GHz.
