Conception et simulation d'un amplificateur micro-ondes à faible bruit à bande étroite

Abstract

Ce travail comporte des études d'amplificateurs micro-ondes à transistors à effet de champ et à faible bruit, ainsi que leurs conceptions en technologie hybride. Différents circuits passifs qu'il soient à constantes localisées ou réparties, sont utilisés. Les circuits à constantes réparties sont réalisés en technologie microruban. La conception de ces amplificateurs fait appel à la théorie des systèmes micro-ondes, basée sur celle des lignes de transmission et sur les paramètres de répartition. La simulation, la synthèse et la réalisation du circuit imprimé de ces dispositifs se font à l'aide d'un logiciel approprié. La fréquence de 2 GHz est choisie en raison de son utilisation dans la téléphonie mobile. L'amplificateur conçu possède un facteur de bruit de 0.22 dB et un gain de 13.4 dB.