Abstract:
L'étude des ions mobiles dans l'oxyde est importante dans la mesure où leur présence peut affecter de façon significative les caractéristiques électriques des structures MOS.
La connaissance précise de la distribution et la densité d'ions mobiles (d.i.m) dans l'oxyde serait d'une aide appréciable pour étudier leur influence sur la performance de la structure.
Dans la présente recherche, une nouvelle technique de la détermination de la d.i.m employant la technique du pompage de charge associée à la méthode du Stress Thermo-Electrique (BTS) est développée.
En plus, la distribution de la d.i.m est déterminée analytiquement à l'état d'équilibre et numériquement à n'importe quel état.
Le modèle analytique de la d.i.m développé permet une représentation formelle du courant ionique en fonction de paramètres connus de la structure considérée.
Les résultats obtenus par simulation des modèles analitiques et numérique avec ceux des mesures réalisées où déjà publiés valide les modèles proposés.
